IR2112是一種高速低側(cè)(Negative) 雙路驅(qū)動器芯片,適用于MOSFET和IGBT的驅(qū)動。這種芯片的特點是具有低電平輸入的閾值電壓和高電平的噪聲抑制,能夠有效地保護電路。IR2112的電路圖如下:
![IR2112電路圖](https://www.electronicshub.org/wp-content/uploads/2016/12/IR2112-Pinout.jpg)
IR2112的電路圖中包含了兩個獨立的低側(cè)驅(qū)動器,每個驅(qū)動器包含一個輸入端、一個輸出端和一個使能端。輸入端接收控制信號,輸出端連接MOSFET或IGBT的門極,使能端可以控制輸出是否有效。IR2112的VCC端連接電源正極,VSS端連接電源負極。
IR2112的電路圖中還包含了一個高速邏輯電路,用于將控制信號轉(zhuǎn)換為高電平或低電平的驅(qū)動信號。這個邏輯電路的輸出連接到兩個低側(cè)驅(qū)動器的輸入端,以控制MOSFET或IGBT的導通和截止。
總的來說,IR2112的電路圖非常簡單,但是它具有良好的噪聲抑制和保護功能,能夠有效地控制MOSFET或IGBT的開關(guān)。因此,IR2112被廣泛應用于工業(yè)控制、電力電子、電源等領域。
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