IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 是一種具有高電壓和高電流控制能力的晶體管。它是一種混合型晶體管,結(jié)合了場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 的導(dǎo)通原理與 BJT 相似,但是控制端采用了 FET 的結(jié)構(gòu)。
當(dāng) IGBT 的柵極(G)接收到正向電壓時(shí),它會(huì)吸引 N 型區(qū)的自由電子,將它們引入 P 型區(qū)。當(dāng)電子進(jìn)入 P 型區(qū)時(shí),它們會(huì)與 P 型區(qū)內(nèi)的空穴結(jié)合,形成復(fù)合物,釋放出能量。這些能量會(huì)激發(fā) P 型區(qū)內(nèi)的電子,使它們穿過(guò) P-N 結(jié),進(jìn)入 N 型區(qū)。當(dāng)這些電子進(jìn)入 N 型區(qū)時(shí),它們會(huì)受到柵極電壓的控制,進(jìn)而形成電流流動(dòng)路徑。這樣,IGBT 就會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。
與此同時(shí),當(dāng)柵極沒有電壓時(shí),IGBT 不會(huì)導(dǎo)通,因?yàn)闆]有電子被引入 P 型區(qū)。這種特性使得 IGBT 在電路中可以用作開關(guān)元件,控制電流的流動(dòng)。
總之,IGBT 的導(dǎo)通原理是通過(guò)柵極電壓控制 P-N 結(jié)內(nèi)的電子流動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)電流的導(dǎo)通和截?cái)?。這種特性使得 IGBT 能夠在高電壓和高電流的環(huán)境下工作,并廣泛應(yīng)用于交流電驅(qū)動(dòng)和電力電子控制領(lǐng)域。
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